Отваря главното меню

Дупчестата проводимост (р-проводимост) е примесна проводимост на полупроводник. Проявява се, когато в полупроводников кристал се внесат примеси. Вследствие на примесите с различна валентност от основния полупроводников материал, в полупроводниковия кристал са незапълнени валентни връзки. Това електронно явление в незапълнената валентна зона, се описва с т. нар. „дупка“ – положителен заряд числено равен на елементарния заряд на един електрон. Английския термин за този тип проводимост е p-conductivity.

ПримесиРедактиране

  • Примеси със заместване – когато атоми от кристална решетка на полупроводник се заместят с атоми от примеса.
  • Примеси с внедряване – когато примесният атом се намества в кристалната решетка на полупроводника.

Принцип на p-проводимосттаРедактиране

Когато в един полупроводников кристал (типично от силиций (Si) или германий (Ge), които са от IV група) част от атомите в решетката са заменени от атоми от III група (предимно бор (B)). На тези места се образуват три ковалентни връзки между електроните на елемента от 3-та група и атомите около него. Остава един атом от полупроводниковия кристал, който не образува ковалентна връзка, а остава свободен. За да се образува ковалентна връзка трябва един електрон от друго място да запълни „дупката“. Този електрон може да се е откъснал от полупроводников атом, което довежда до ново „незаето“ място. Така започва един процес на насочено преместване на електрони за запълване на незапълнената валентна връзка, което води до последователно отваряне на нови „дупки“. Този процес се нарича „дупчеста проводимост“, а „дупката“ с липсата на един електрон е носител на положителен заряд, равен на елементарен заряд в полупроводника.

Процес на р-проводимост за пренасяне на електрони в полупроводников материал, може да възникне и в резултат на топлинно възбуждане на електрони от валентната зона в т.нар. зона на проводимост при въздействие със светлина или облъчване с йонизиращи лъчения.

Вижте същоРедактиране

ИзточнициРедактиране

Полупроводникови прибори, Доц. к.т.н. инж. Лила А. Доневска, Доц. к.т.н. инж. Росица Й. Дойчинова, Издателство „Техника“ София, 1993