Полеви транзистор: Разлика между версии

За изводите (електродите) на полевите транзистори се използват чуждите наименования ''сорс'', ''гейт'' и ''дрейн'' (от англ. source, gate и drain), а в руската техническа литература съответно ''исток'', ''затвор'' и ''сток''. При МОП-транзисторите съществува и четвърти елемент, ''подложка'', прилежащ до канала, но рядко се споменава защото почти винаги е свързан към сорса. Чрез прилагане на напрежение между гейта и подложката или между гейта и канала (сорса) се управлява проводимостта между сорса и дрейна. За разлика от [[биполярен транзистор|биполярните транзистори]], токът протичащ в управляващата верига е пренебрежимо малък и управлението се извършва само по напрежение.

За изработване на полевите транзистори се използват стандартните технологични процеси на обработка на [[полупроводник|полупроводници]], като в носещата [[монокристал]]на полупроводникова пластина се създава специална зона или проводящ канал. Каналът на полевия транзистор е или легиран (обогатен) с електрони, за да се получи полупроводник с [[n-тип проводимост]], или пък е обеднен на електрони, за да се получи полупроводник с [[p-тип проводимост]]. Заобикалящата го област е с противоположния тип проводимост, а между двете възниква [[P-N преход]].