|
== '''Оперативна памет''' е вид [[компютърна памет]], която съдържа [[Машинна инструкция|инструкциите]] за [[централен процесор|централния процесор]] и различни [[данни]], използвани при неговата работа. В [[архитектура на фон Нойман|архитектурата на фон Нойман]] това е бързодействаща памет, с която [[процесор]]ът обменя данни без посредничеството на други [[Запаметяващо устройство|запаметяващи устройства]]. В оперативната памет се съхраняват [[Програмен код|кодът на изпълняваната програма]] и данните, върху които се извършват операциите. В съвременните системи се използва и [[кешпамет]], която обикновено е разположена физически в [[чип]]а на процесора и осигурява време за достъп, съизмеримо с вътрешните за процесора операции. ==
Оперативна памет често се нарича ''първична памет'' ({{lang|en|primary}}), ''вътрешна'' или просто ''памет'', а паметта за съхранение на програми и данни е ''вторична'' ({{lang|en|secondary}}), ''външна'', ''локална'' или ''помощна''<ref>{{cite book |last=Patterson |first=David |first2=John |last2=Hennessy |title=Computer Organization and Design: The Hardware/Software Interface |publisher=[[Elsevier]]|date=1971 |page=23 |url=https://books.google.com/books?id=1lD9LZRcIZ8C&pg=PA23&lpg=PA23&redir_esc=y#v=onepage&q&f=false}}</ref>. Двете често се смесват, особено при [[смартфон]]ите, в чиито технически спецификации са описани общо като „памет“ и се цитира обемът им в гигабайти. Оперативната (или [[RAM]]) памет е по-бърза (и по-скъпа), затова производителите са по-пестеливи с нея.
<references />
== Клетка за памет ==
Клетката на паметта е основният градивен елемент на компютърната памет. Клетката с памет е електронна схема, която съхранява един бит двоична информация и трябва да бъде настроена да съхранява логическа 1 (ниво на високо напрежение) и да се нулира, за да съхранява логическа 0 (ниво на ниско напрежение). Неговата стойност се поддържа/съхранява, докато не бъде променена от процеса на настройка/нулиране. Стойността в клетката на паметта може да бъде достъпна, като я прочетете.
В SRAM клетката с памет е вид тригерна верига, обикновено реализирана с помощта на FET. Това означава, че SRAM изисква много ниска мощност, когато не е достъпна, но е скъпа и има ниска плътност на съхранение.
Втори тип, DRAM, се основава на кондензатор. Зареждането и разреждането на този кондензатор може да съхранява "1" или "0" в клетката. Въпреки това, зарядът в този кондензатор бавно изтича и трябва периодично да се обновява. Поради този процес на опресняване DRAM използва повече енергия, но може да постигне по-голяма плътност на съхранение и по-ниски разходи за единица в сравнение със SRAM.
[[Категория:Компютърна памет]]
|
