Полупроводник: Разлика между версии

Собствената проводимост на полупроводниците може да се подобри, като сеувеличава извършичрез дотиранелегиране с тривалентни или петвалентни атоми, които нарушават решетъчния строеж на кристала. Ви в резултат на дотирането се появяват свободни носители на заряд - съответно електрони или дупки, с което чувствително се повишава проводимостта. В зависимост от валентността на примесите, с които става дотиранетолегирането, се различават [[електронна проводимост|електронна]] (или n-проводимост) и [[дупчеста проводимост|дупчеста]] (p-проводимост).

p-проводимост се получава чрез въвеждане (легиране или още дотиране) на тривалентни примеси (акцептори) – в кристалната решетка се образуват „дупки“. Когато в един полупроводников кристал (типично от [[силиций]] (Si) или [[германий]] (Ge), които са от IV група) част от атомите в решетката са заменени от атоми от III група (предимно индий (In), бор (В), галий (Ga), алуминий (Al)), на тези места се образуват три ковалентни връзки между [[електрон]]ите на елемента от 3-та група и атомите около него. Остава един атом от полупроводниковия кристал, който не образува ковалентна връзка, а остава свободен. За да се образува ковалентна връзка трябва един електрон от друго място да запълни „дупката“. Този електрон може да се е откъснал от полупроводников атом, което довежда до ново „незаето“ място. Така започва един процес на запълване и отваряне на нови „дупки“. Този процес се нарича дупчеста проводимост.