Полеви транзистор: Разлика между версии

**: чрез прилагане на електрически потенциал над определена прагова стойност върху гейта, в подложката се образува област наситена с противоположния тип носители, и тя служи за канал между сорса и дрейна.
*:Породения канал може да съществува само при МОС транзисторите, а транзисторите с p-n преход винаги имат изграден канал.
* В зависимост от броя гейтове: едно- или дву-гейтови (само в МОП изпълнение). Дву-гейтовия МОП-транзистор има характеристики, близки до тези на [[електронна лампа хептод|електронната лампа хепродхептод]].
* При метал-полупроводник полевите транзистори (MОS-FET) [[P-N преход]]ът е заменен с [[Бариера на Шотки]]; използва се при устройства, създадени на базата на [[галиев арсенид]] или други III-V полупроводникови материали.
* В полупроводникови сплави от типа на алуминий-галиев арсенид се манипулира широчината на [[забранена зона|забранената зона]] и се получава HEMT (High Electron Mobility Transistor), наричан също така и HFET (heterostructure FET).
Анонимен потребител