Полеви транзистор: Разлика между версии

редакция без резюме
м (Робот Добавяне: ar:ترانزستور حقلي)
No edit summary
'''Полевият транзистор''' е [[транзистор]], при който [[електрическа проводимост|електрическата проводимост]] на активната област между 2 електрода или т.нар. „канал“, създаден целенасочено в [[полупроводник|полупроводников]] материал, се контролира от [[електрическо поле]], създавано от трети електрод. Понякога полевите транзистори се наричат униполярни, защото за разлика от [[биполярен транзистор|биполярните транзистори]] липсва инжекция на токоносители и електронният ток се определя или само от [[електрон]]и или само от [[Полупроводник|дупки]]. Електрическите характеристики на полевите транзистори са близки до тези на [[електронна лампа пентод|електронните лампи тип пентод]]. Тъй като обикновено имат голямо [[входно съпротивление]], полевите транзистори могат да се използват и като резистори, управлявани по напрежение.
 
За изводите (електродите) на полевите транзистори се използват чуждите наименования ''сорс'', ''гейт'' и ''дрейн'' (от англ. source, gate и drain), а в руската техническа литература съответно ''сток'', ''затвор'' и ''изток''. При МОП-транзисторите съществува и четвърти елемент, ''подложка'', прилежащ до канала, но рядко се споменава защото почти винаги е свързан към сорса. Чрез прилагане на напрежение между гейта и подложката или между гейта и канала (сорса) се управлява проводимостта между сорса и дрейна. За разлика от [[биполярен транзистор|биполярните транзистори]], токтокът не протичапротичащ в управляващата верига е пренебрежимо малък и управлението се извършва само по напрежение.
 
За изработване на полевите транзистори се използват стандартните технологични процеси на обработка на [[полупроводник|полупроводници]], като в носещата [[монокристал]]на полупроводникова пластина се създава специална зона или проводящ канал. Каналът на полевия транзистор е или легиран (обогатен) с електрони, за да се получи полупроводник с [[n-тип проводимост]], или пък е обеднен на електрони, за да се получи полупроводник с [[p-тип проводимост]]. Заобикалящата го област е с противоположния тип проводимост, а между двете възниква [[P-N преход]].
17

редакции