Полеви транзистор: Разлика между версии
Изтрито е съдържание Добавено е съдържание
по-дълбока кат. |
м Cyrlat: 1 repl; |
||
Ред 27:
*:Породения канал може да съществува само при МОС транзисторите, а транзисторите с p-n преход винаги имат изграден канал.
* В зависимост от броя гейтове: едно- или дву-гейтови (само в МОП изпълнение). Дву-гейтовия МОП-транзистор има характеристики, близки до тези на [[електронна лампа хептод|електронната лампа хептод]].
* При метал-полупроводник полевите транзистори (
* В полупроводникови сплави от типа на алуминий-галиев арсенид се манипулира широчината на [[забранена зона|забранената зона]] и се получава HEMT (High Electron Mobility Transistor), наричан също така и HFET (heterostructure FET).
* TFT е ([[тънкослоен транзистор]]) на базата на [[аморфен силиций]], [[поликристален силиций]] или друг аморфен полупроводник.
| |||