EEPROM: Разлика между версии
Изтрито е съдържание Добавено е съдържание
м Робот Промяна: nl:Electrically erasable programmable read-only memory |
Редакция без резюме |
||
Ред 1:
'''EEPROM''' ([[английски език|англ]] '''E'''lectrically '''e'''rasable '''p'''rogrammable '''r'''ead-'''o'''nly '''m'''emory) е
Физическата реализация е под формата на [[чип]]. Структурата на запомнящия елемент е подобна на тази при [[EPROM]], с тази разлика, че съществува уникално изтъняване на [[гейт|подгейтовия]] [[окис]]ен слой в областта на [[дрейн]]а. Записът на [[информация]] се осъществява подобно на EPROM, а изтриването се извършва, като към дрейна се приложи положително изтриващо напрежение, при зададен адресен гейт. В резултат на това през локалното изтъняване на подгейтовия окисен слой протича [[ток]] и се разсейва захранващия [[електрически заряд|заряд]]. Изтриването се извършва или по редове, или по блокове в [[матрица]]та. Паметите EEPROM са унифицирани в серията 28.
| |||