Биполярен транзистор: Разлика между версии

Изтрито е съдържание Добавено е съдържание
→‎Схема на транзистор като интегрален диод: не знам кой е писал статията, но определено не знае как се отделят секциите
м форматиране: 20x дълго тире, 3x интервали (ползвайки Advisor.js)
Ред 5:
Характерна особеност на всички биполярни транзистори е, че концентрацията на примесите в базата, определящи нейната основна проводимост, е много по-ниска от концентрацията на примесите в другите две области.
 
В зависимост от използвания полупроводников материал биполярните транзистори се делят на две основни групи: германиеви и силициеви. Освен това те се класифицират в зависимост от [[мощност]]та на разсейване - — маломощни, средномощни и мощни; от граничната [[честота]] - нискочестотни - — до 3 MHz, средночестотни - — от 30 до 300 MHz и високочестотни - — над 300 MHz; от механизма на движението на токоносителите - — дифузни и дрейфови; от технологията на производството - [[сплав]]ни, конверсионни, епитаксиално-планарни, мезатранзистори и др.
 
==Многоемитерни транзистори==
Ред 12:
==Основни схеми на свързване==
 
Транзисторите се използват най-често като основен градивен елемент в усилвателните електронни схеми.
Управлението на изходния сигнал при биполярните транзистори става чрез инжекция на неосновни токоносители през два близкоразположени PN-прехода. Наименованието "биполярни" идва от това, че тяхната проводимост се обуславя от два вида токоносители - — електрони и дупки за разлика от униполярните (транзистори без инжекция). Важно: '''Биполярният транзистор е елемент, който се управлява с ток.'''
 
Всеки усилвател притежава четири извода: два входни - — за сигнала, който се усилва, и два изходни - — за усиления сигнал.Тъй като транзисторът е елемент с три извода, един от неговите изводи се явява общ за входната и изходната верига на усилвателя. Разгледан като [[четириполюсник]], транзисторът може да бъде свързан в три различни схеми:
 
*схема [[обща база]]
Ред 26:
===Схема с ОБ (обща база)===
Схемата не променя полярността на входният сигнал. Притежава много добри честотни свойства и добра линейност на волт-амперната характеристика. Има голяма стабилност при колебания на температури.
 
'''СОБ намира приложение в генераторите и усилвателите за висока и междинна честота, т.е. в случаите когато е необходима по-висока стабилност на температурните коефициенти, добри честотни свойства и ниско изходно съпротивление.'''
 
Ред 35:
СОЕ е с високо входно съпротивление от порядъка на няколко килоома, а изходно няколко десетки килоома. Входното и изходно съпротивление не се отличава така силно, както при СОБ, и това улеснява съгласуването на отделните стъпала. Коефициентът на усилване по ток β>>1. За разлика от СОБ и СОК в СОЕ коефициентът на усилване по ток и напрежение могат да бъдат едновременно по-големи от 1 и така се достига максимално усилване по мощност. Обаче тази схема има ниска температурна стабилност и това налага използването на ООВ (отрицателна обратна връзка), с което се намалява коефициентът на усилване.
 
ОЕ дефазира входния сигнал на 180 градуса. Има неравномерна честотна характеристика, а коефициентът
на нелинейни изкривявания е с голяма стойност и може да достигне до 5-15%.
 
Ред 47:
Тя не изменя полярността на входният сигнал. Коефициентът на нелинейни изкривявания има малка стойност (<1%).
 
'''Намира приложение при съгласуване на съпротивленията между отделните стъпала -&nbsp;— както в предусилвателните, така и в мощните нискочестотни усилватели.
'''
 
Ред 58:
Трябва да се има предвид, че при интегралните диоди също са налице нежелани паразитни транзистори, които могат да се отпушат по време на работа.
Видовете диоди според свързването са:
а)Анод -&nbsp;— База, свързана към Колектор; Катод -&nbsp;— Емитер
б)Анод -&nbsp;— Емитер, свързан към База; Катод -&nbsp;— Колектор
в)Анод -&nbsp;— База; Катод -&nbsp;— Емитер; Колекторът е висящ
г)Анод -&nbsp;— База; Катод -&nbsp;— Колектор; Емитерът е висящ
д)Анод -&nbsp;— База; Катод -&nbsp;— Емитер, свързан към Колектор
Когато са необходими по-високи пробивни напрежения се използват схеми на свързване "б" и "г". В този случай времето на превключване е около 50-100ns.
Особено често се използва диодът "а", тъй като има най-малко време на превключване -&nbsp;— около 10ns.
 
===Съставни транзистори===