Полупроводник: Разлика между версии

Едно от основните положения в квантовата механика е, че енергията на електрона е [[квант]]увана, т.е. може да има само точно определени дискретни стойности. Възможните стойности, които може да взема енергията на електрона, се наричат [[енергийно нива|енергийни нива]]. За да премине електронът от по-ниско енергийно ниво на по-високо, той трябва да получи енергия отвън. Така например, за да премине от първо енергийно ниво на второ, електронът трябва да получи енергия отвън, равна на разликата между енергиите на двете нива. Разликата между енергиите на най-високото и на най-ниското ниво от една зона се нарича широчина на зоната, която се измерва с единица eV ([[електронволт]]).

Собствената проводимост на полупроводниците може да се подобри, като се извърши дотиране с тривалентни или петвалентни атоми, които нарушават решетъчния строеж на кристала. В резултат на дотирането се появяват свободни електрони или дупки, с което чувствително се повишава проводимостта. В зависимост от валентността на примесите, с които става дотирането, се различават [[електронна проводимост|електронна]] (или n-проводимост) и [[дупчеста проводимост|дупчеста]] (p-проводимост).

n-проводимост се получава чрез въвеждане на петвалентни примеси (донори) - в кристала се получават свободни електрони. Антимон (Sb), арсен (As), фосфор (Р) се използват скатокато петвалентни донори.

Откриването на полупроводниците и свойствата на pn-прехода са важен успех за квантовата теория, тъй като това позволява миниатюаризация на електронните устройства и увеличаване на техните възможности, което е в основите на съвременната електроника. Няма електронен прибор, който да не съдържа полупроводников компонент.

[[Категория:МатериалиПолупроводници]]