Галиев арсенид: Разлика между версии

м
редакция без резюме
(малко оформление, +категория)
мРедакция без резюме
{{обработка|форматиране, оформяне на увод и по-добро структуриране на информацията, '''изясняване на въпроса с авторските права'''}}
 
'''Галиевият арсенид (GaAs)''' е '''[[химично съединение''']] на [[галий|галия]] и арсена[[арсен]]а. От всички съединения от вида AIIIBV (на елементи от ІІІ и V група на Периодичната система) той е най-интересен и достанамира приложимшироко приложение в [[полупроводник]]овата техника. Неговото най-важно свойство е високата подвижност на електроните. Този факт позволява изготвяне на СВЧ-прибори с подобрени характеристики. Друго предимство е голямата ширина на забранената зона, което дава възможност за работа на структурите при повишени температури. GaAs е подходящ материал за [[радиация|радиационно]]-устойчиви прибори и интегрални схеми.
 
Основен недостатък е фактът, че GaAs е двукомпонентно съединение. Той изисква понижаване на максималните температури по време на технологичните процеси, за да се избегне повърхностната дисоциация.
 
ЛегиранетоЗа разлика от [[силиций|силиция]], легирането чрез [[дифузия]] е неприемливонеприложимо за GaAs. При него не съществува и стабилен, лесно формиращ се естествен [[оксид]]. Повърхността му е по-чувствителна към въздействието на различни химични вещества, използвани в технологичните процеси, което изисква нов подход при реализацията им. GaAs е твърде крехък материал и има опасност от разрушаване при различните технологични обработки. Намира практическо приложение приза изработване на:
 
* Фотодетектори[[Фотодетектор]]и за видима светлина, рентгенови лъчи;
* [[интегрална схема|Интегрални схеми]] с висока степен на интеграция;
* [[полеви транзистор|Полеви транзистори]];