P-n преход: Разлика между версии
Изтрито е съдържание Добавено е съдържание
Luckas-bot (беседа | приноси) м r2.7.1) (Робот Добавяне: bn:পি–এন সংযোগ |
Редакция без резюме |
||
Ред 1:
'''p-n-преход''' е област в [[полупроводник]], където [[дупчеста проводимост|p-проводимост]]та преминава в [[електронна проводимост|n-проводимост]]. Може да бъде създаден чрез добавяне на различни примеси в един и същ полупроводников [[кристал]] или чрез заваряване на два кристала с различна проводимост. В зависимост от начина на създаване преходът може да бъде рязък (при заваряване или стопяване) или плавен (при [[дифузия]]). Механизмът на действие на повечето полупроводникови елементи се основава на свойствата на P-n прехода - граничната област в полупроводников кристал между две обособени области с различна примесна проводимост.
При нормална температура всички примесни нива са възбудени и
Този градиент на концентрацията е причина за появата на два дифузионни потока: на P носители от Р към n областта и на n към Р. Резултатният дифузионен ток през P-n прехода е: I<sub>диф.</sub> = I<sub>диф.Р</sub>+I<sub>диф.n</sub>. Проникналите P носители в n областта се рекомбинират с електроните, поради което концентрацията на електроните в тази област намалява. Аналогично проникналите в P областта n носители рекомбинират с p носителите.
|