Полеви транзистор: Разлика между версии

м
→‎Видове полеви транзистори: ; форматиране: 2x интервали, дълго тире (ползвайки Advisor.js)
м (r2.6.4) (Робот Добавяне: sk:Tranzistor riadený poľom)
м (→‎Видове полеви транзистори: ; форматиране: 2x интервали, дълго тире (ползвайки Advisor.js))
*В зависимост от вида изолация между гейта и сорса:
** с изолиран гейт
**:след създаване на канала повърхността на силициевия монокристал се оксидира (силициевия диоксид SiO<sub>2</sub> е изолатор), и отгоре се нанася метален слой. Оттам идва съкращението '''метал-оксид-полупроводник (МОП)'''. Понякога се търси еднаквост с английското съкращение MOS (''Metal-Oxide-Semiconductor''), и се интерпретира като '''метал-оксид-силиций (МОС)'''. Тези транзистори са основни за цифровата схемотехника и поради нейното разпространение са най-масови.
** с p-n преход
**: гейта и канала образуват p-n преход и при подаване на обратно напрежение зоната около прехода обеднява откъм носители и повишава съпротивлението на канала. Този тип транзистори се използват по-рядко, предимно за аналогови усилватели.
*:Породения канал може да съществува само при МОС транзисторите, а транзисторите с p-n преход винаги имат изграден канал.
* В зависимост от броя гейтове: едно- или дву-гейтови (само в МОП изпълнение). Дву-гейтовия МОП-транзистор има характеристики, близки до тези на [[електронна лампа хептод|електронната лампа хептод]].
* При '''метал-полупроводник полевите транзистори (MOS-FET)''' [[P-N преход]]ът е заменен с [[Бариера на Шотки]]; използва се при устройства, създадени на базата на [[галиев арсенид]] или други III-V полупроводникови материали.
* В полупроводникови сплави от типа на алуминий-галиев арсенид се манипулира широчината на [[забранена зона|забранената зона]] и се получава HEMT (High Electron Mobility Transistor), наричан също така и HFET (heterostructure FET).
* TFT е ([[тънкослоен транзистор]]) на базата на [[аморфен силиций]], [[поликристален силиций]] или друг аморфен полупроводник.
* Подгрупа на TFT са OFET -&nbsp;— органични полеви транзистори, при които полупроводникът е органичен и често се използват и органични електроди и изолатори на гейта.
 
== Принцип на действие ==