Сканиращ тунелен микроскоп: Разлика между версии

Изтрито е съдържание Добавено е съдържание
м r2.7.1) (Робот Добавяне: bs:Skenirajući tunelski mikroskop
мРедакция без резюме
Ред 1:
[[Image:Atomic resolution Au100.JPG‎|250px|thumb|Изображение на златна повърностповърхност, презполучено в сканиращ тунелен микроскоп. Атомите на [[злато]]то са подредени в [[кристална решетка]][[Картинка:ScanningTunnelingMicroscope schematic.png|350px|thumb|right|Обща схема на СТМ]]'''Сканиращият тунелен микроскоп''' (СТМ) е техника, позволяваща да се изучават повърхности на атомно ниво. СТМ сондира [[плътност на състоянията|плътността на състоянията]] в даден материал, като детектира тунелния ток. Съвременните СТМ имат резолюция от около 0.1 nm на ширина и 0.01 nm на дълбочина. За изобретяването му, физиците [[Герд Бининг]] и [[Хайнрих Рорер]] получават [[Нобелова награда по физика|Нобеловата награда по физика]] за 1986.
[[Картинка:ScanningTunnelingMicroscope schematic.png|350px|thumb|right|Обща схема на СТМ]]
 
'''Сканиращият тунелен микроскоп''' (СТМ) е вид [[микроскоп]], позволяващ да се изучават повърхности на атомно ниво. СТМ сондира [[плътност на състоянията|плътността на състоянията]] в даден материал, като детектира тунелния ток. Съвременните СТМ имат [[разделителна способност]] от около 0.1 nm на ширина и 0.01 nm на дълбочина. За изобретяването му, физиците [[Герд Биниг]] и [[Хайнрих Рорер]] получават [[Нобелова награда за физика|Нобеловата награда по физика]] за 1986.
Идеята за СТМ се основава на явлението [[тунелен преход]]. Когато върхът на тънка метална жичка бъде доближен до [[метал]]на или [[полупроводник]]ова повърхност, на достатъчно близко разстояние, но без да са допрени, електрони от материала прескачат потенциалната бариера и отиват във връхчето на жичката - потича тунелен ток. При ниско напрежение, тунелния ток е функция от локалната плътност на състоянията, т.е. вариациите, в силата на тока, причинени от движението на жичката по повърхността, се превръщат в изображение. За получаване на добро изображение са необходими изключително чисти повърхности.
 
Идеята за СТМ се основава на явлениетоквантово-механичния ефект [[тунелен преход]]. Когато върхът на тънка метална жичка бъде доближен до [[метал]]на или [[полупроводник]]ова повърхност, на достатъчно близко разстояние, но без да сая допренидопира, електрони от материалаповърхността (на изследвания образец) прескачат потенциалната бариера и отиват във връхчето на жичката — -протича потичаелектрически (тунелен) ток. При ниско напрежение, тунелниятунелният ток е функция от локалната плътност на състоянията, т.е. вариациите, в силата на тока, причинени от движението на жичката по повърхността, се превръщат в [[изображение]]. За получаване на добро изображение са необходими изключително чисти повърхности.
 
{{физика-мъниче}}