Полеви транзистор: Разлика между версии
Изтрито е съдържание Добавено е съдържание
Редакция без резюме |
|||
Ред 2:
'''Полевият транзистор''' е [[транзистор]], при който [[електрическа проводимост|електрическата проводимост]] на активната област между 2 електрода или т.нар. „канал“, създаден целенасочено в [[полупроводник]]ов материал, се контролира от [[електрическо поле]], създавано от трети електрод. Понякога полевите транзистори се наричат униполярни, защото за разлика от [[биполярен транзистор|биполярните транзистори]] липсва инжекция на токоносители и електронният ток се определя или само от [[електрон]]и или само от [[Полупроводник|дупки]]. Електрическите характеристики на полевите транзистори са близки до тези на електронните лампи тип [[пентод]]. В началото на електрическата характеристика има и една част в която поведението е като триодна лампа, но тя се ползва по-рядко (обикновено в измерителни прибори). Тъй като обикновено имат голямо [[входно съпротивление]], полевите транзистори могат да се използват и като резистори, управлявани по напрежение. Минималното съпротивление на наситен транзистор е от порядъка на 0,1 Ω и по-малко.
За изводите (електродите) на полевите транзистори се използват чуждите наименования ''сорс'', ''гейт'' и ''дрейн'' (от англ. source, gate и drain), а в руската техническа литература съответно ''
За изработване на полевите транзистори се използват стандартните технологични процеси на обработка на [[полупроводник|полупроводници]], като в носещата [[монокристал]]на полупроводникова пластина се създава специална зона или проводящ канал. Каналът на полевия транзистор е или легиран (обогатен) с електрони, за да се получи полупроводник с [[n-тип проводимост]], или пък е обеднен на електрони, за да се получи полупроводник с [[p-тип проводимост]]. Заобикалящата го област е с противоположния тип проводимост, а между двете възниква [[P-N преход]].
|