MOS транзистор: Разлика между версии

'''MOS транзистор''' от метал-оксид-силиций ({{lang-en|'''M'''etal '''O'''xide '''S'''emiconductor}}) е [[полеви транзистор]] с изолиран [[гейт]]. При полевия транзистор действието се основава на преместването на основните токоносители. При MOS транзистора управляващия електрод е изолиран от канала и от целия прибор с тънък слой [[силициев диоксид]]. Има много голямо [[входно съпротивление]], а действието му се основава на изменението на [[проводимост]]та на повърхностния слой под действието на [[електрическо поле|електрическото поле]].

 

 

Този вид транзистори са широко използвани за цифровата схемотехника.