'''CMOS''' ({{lang-en|'''C'''omplementary-symmetry '''M'''etal-'''O'''xide '''S'''emiconductor}} - комплементарна логика на MOS (или МОП) [[транзистор]]и) е [[технология]] за създаване на [[електронна схема|електронни схеми]]. В нея се използват [[полеви транзистор]]и с изолиран гейт (затвор) и с канали с различна [[проводимост]]. Отличителна черта на CMOS схемите в сравнение с [[биполярен транзистор|биполярните]] технологии e ниското потребление на енергия в статичен режим (в болшинството случаи може да се счита, че енергия се консумира само по време на превключване на състоянията). Отличителна черта на CMOS схемите в сравнение с други MOS-структури ([[N-MOS]], [[P-MOS]]) е наличието както на n-, така и на p-канални полеви транзистори; вследствие на това CMOS схемите притежават по-високо [[бързодействие (електроника)|бързодействие]] и по-ниско потребление. За сметка на това обаче технологическият процес на изготвянето им е по-сложен, а плътността на опаковка - по-ниска.
Повечето съвременни логически [[интегрална схема|интегрални схеми]], в това число [[Централен процесор|процесорите]], използват технологията CMOS. При сензорите за [[фотоапарат]]и също често се използва CMOS [[матрица]]. CMOS матриците притежаватпроизвеждат по-високиниваразлични на [[шум]]а и по-ниска [[чувствителност]], в резултат от което се получават снимки с по-ниско качество. За сметкаварианти на това CMOS сензорите са по-евтини и използват значително по-малко енергия при работата си, което увеличава живота на батериитетехнология. Има и изключения, при които производителите, чрез специален [[хардуер]] и [[софтуер]] компенсират недостатъците на CMOS матриците, но това е рядкост.
В сензорите за [[фотоапарат]]и често се прилагат CMOS [[матрица|матрици]], чиито главни преимущества са достъпни цени поради съвместимостта със съвременните CMOS технологии.
Разсеяната мощност на CMOS е ниска, защото няма верига от Vdd към [[заземяване|маса]] в състояние 1 или 0.
