MOS транзистор: Разлика между версии
Изтрито е съдържание Добавено е съдържание
Редакция без резюме |
Редакция без резюме |
||
Ред 1:
[[File:MOSFET Structure.png|thumb|Структура на MOS транзистор]]
'''MOS транзистор''' от метал-оксид транзистор ({{lang-en|'''M'''etal '''O'''xide '''S'''emiconductor}}) е [[полеви транзистор]] с изолиран [[гейт]]. При полевия транзистор действието се основава на преместването на основните токоносители. При MOS транзистора управляващия електрод е изолиран от канала и от целия прибор с тънък слой [[силициев диоксид]]. Има много голямо [[входно съпротивление]], а действието му се основава на изменението на [[проводимост]]та на повърхностния слой под действието на [[електрическо поле|електрическото поле]].
MOS транзисторите биват два вида – транзистор с индуциран канал и транзистор с вграден канал. Като транзисторите с р-подложка не се използват заради малкото им бързодействие и ниска шумоустойчивост.
| |||