[[File:MOSFET Structure.png|thumb|Структура на MOS транзистор]]
'''MOS транзистор''' от метал-оксид транзистор ({{lang-en|'''M'''etal '''O'''xide '''S'''emiconductor - метал-оксид-полупроводник}}) е [[полеви транзистор]] с изолиран [[гейт]]. При полевия транзистор действието се основава на преместването на основните токоносители. При MOS транзистора управляващияуправляващият електрод е изолиран от канала и от целия прибор с тънък слой [[силициев диоксид]]. Има много голямо [[входно съпротивление]], а действието му се основава на изменението на [[проводимост]]та на повърхностния слой под действието на [[електрическо поле|електрическото поле]].
MOS транзисторите биват два вида – транзистортранзистори с индуциран канал и транзистортранзистори с вграден канал. Като транзисторитеТранзисторите с р-подложка не се използват заради малкото им бързодействие и ниска шумоустойчивост.
Този вид транзистори са широко използвани зав цифровата схемотехника.
