Процес на Чохралски: Разлика между версии
Изтрито е съдържание Добавено е съдържание
Редакция без резюме |
|||
Ред 10:
===Размери===
Най-големите силициеви кристали са с големина 400 mm в диаметър и 1 до 2 метра дълги. Кристалите с диаметър 200 mm и 300 mm са стандартни в индустриалните процеси. От кристалите се нарязват тънки силициеви [[подложка (електроника)|подложки]] (обикновено с дебелина 0,2 - 0,75 mm и при спазване на ориентацията на кристалографските равнини) и се полират до изключителна гладкост за направата на [[интегрална схема|интегрални схеми]].
==Други методи==
Други методи за получаване на големи полупроводникови монокристали, от които след това да се изрязват необходимите за производството на чипове пластини, са зонното топене и по-специално: [[безтигелно зонно топене|безтигелното зонно топене]]. Преимуществото им е постигането на по-голяма чистота на монокристала по отношение на примеси, а недостатък (засега) е ограничението на максималния диаметър на монокристала до 8 инча.
| |||