Фоторезистор: Разлика между версии
Изтрито е съдържание Добавено е съдържание
Редакция без резюме |
Редакция без резюме |
||
Ред 1:
{{микромъниче|14:22, 22 декември 2015 (UTC)}}
Фоторезистор (на английски - ''LDR'' (''Light Dependent Resistor
Фоторезисторите се изработват най-често чрез нанасяне на полупроводников материал върху кварцова или керамична подложка. За предпазване от атмосферни влияния, които биха компрометирали неговото функциониране, фоточувствителната част се покрива с прозрачен хидрофобен лак.
Фоторезисторът не е генериращ сензор, поради което изисква да му бъде подадено определено работно напрежие, което предизвиква протичането на съответен начален ток - "ток на тъмно". Облъчването със светлина на полупроводниковата структура на фоторезистора води до генериране на допълнителни токоносители в нея, в резултат на което съпротивлението му пада и поражда намаляване на пада на напрежение върху двата му извода.
Основен параметър за всеки фоторезистор е специфичната интегрална чувствителност k0 = If/(U*F) [A/V*lm], или отношението на фототокът към произведението от приложеното напрежение и падащият светлинен поток
Фототокът зависи и от честотата на светлинната вълна, като има доста ясно изразен максимум, който може да бъде в инфрачервения, видимия или ултравиолетовия спектър.
Фоторезисторите са относително инертни сензори, поради което са практически неприложими при честоти над 100 kHz.
Основните параметри на фоторезисторите са:
1) Специфична интегрална чувствителност - к0
2) Съпротивление на тъмно - R0
3) Максимално допустимо работно напрежение - Umax
4) Дължина на светлинната вълна съответстваща на максималната чувствителност - λmax
5) Максимална разсейвана мощност - Pmax
{{Превод от|en|Photoresistor|696392645}}
| |||