Фоторезистор: Разлика между версии

Фоторезистор (на английски – ''LDR'' (''Light Dependent Resistor'')) е полупроводников електронен елемент - [[резистор]], чието съпротивление е в обратнопропорционална зависимост от падащия върху него светлинен поток.

Фоторезисторите се изработват най-често чрез нанасяне на [[полупроводник]]ов материал върху [[кварц]]ова или керамична подложка. За предпазване от атмосферни влияния, които биха компрометирали неговото функциониране, фоточувствителната част се покрива с прозрачен хидрофобен лак. Фоторезисторът не е генериращ сензор, поради което изисква да му бъде подадено определено работно напрежие, което предизвиква протичането на съответен начален ток – „ток на тъмно“. Облъчването със светлина на полупроводниковата структура на фоторезистора води до генериране на допълнителни токоносители в нея, в резултат на което съпротивлението му пада и поражда намаляване на пада на напрежение върхумежду двата му извода. Основен параметър за всеки фоторезистор е специфичната интегрална чувствителност k0 = If/(U*F)Φ [A/V*lm], или отношението на фототокътфототокa към произведението от приложеното напрежение и падащият светлинен поток. Фототокът зависи и от честотата на светлинната вълна, като има доста ясно изразен максимум, който може да бъде в инфрачервения, видимия или ултравиолетовия спектър. Фоторезисторите са относително инертни сензори, поради което са практическиизползването неприложимиим при честоти над 10010 kHz е проблематично.