Полупроводник: Разлика между версии

 

== Принцип на протичане на ток през полупроводници ==

Електричните свойства на полупроводниците не могат да бъдат обяснени напълно със законите на [[класическа механика|класическата физика]], а чрез [[квантова механика|квантовата механика]] и по специално - със зонната теория.

 

==== Дупчеста проводимост ====

{{основна|Дупчеста проводимост}}

p-проводимост се получава чрез въвеждане (дотиране) на тривалентни примеси (акцептори) - в кристалната решетка се образуват "дупки". Когато в един полупроводников кристал (типично от [[силиций]] (Si) или [[германий]] (Ge), които са от IV група) част от атомите в решетката са заменени от атоми от III група (предимно индий (In), бор(В), галий (Ga), алуминий (Al)), на тези места се образуват три ковалентни връзки между [[електрон]]ите на елемента от 3-та група и атомите около него. Остава един атом от полупроводниковия кристал, който не образува ковалентна връзка, а остава свободен. За да се образува ковалентна връзка трябва един електрон от друго място да запълни "дупката". Този електрон може да се е откъснал от полупроводников атом, което довежда до ново "незаето" място. Така започва един процес на запълване и отваряне на нови "дупки". Този процес се нарича дупчеста проводимост.

 

==== Електронна проводимост ====

{{основна|Електронна проводимост}}

n-проводимост се получава чрез въвеждане на петвалентни примеси (донори) - в кристала се получават свободни електрони. Антимон (Sb), арсен (As), фосфор (Р) се използват като петвалентни донори.