Биполярен транзистор: Разлика между версии

Изтрито е съдържание Добавено е съдържание
Редакция без резюме
Общи сведения
Ред 16:
Характерна особеност на всички биполярни транзистори е, че концентрацията на примесите в базата, определящи нейната основна проводимост, е много по-ниска от концентрацията на примесите в другите две области.
 
В зависимост от използвания полупроводников материал биполярните транзистори се делят на две основни групи: [[германий|германиеви]] и [[силиций|силициеви]]. Освен това те се класифицират в зависимост от [[мощност]]та на разсейване: маломощни - 0,3V3W, средномощни - 3V3W и мощни - над 3V3W; от граничната [[честота]]: нискочестотни - до 3 MHz, средночестотни - от 3 до 30 MHz, високочестотни - от 30 до 300 MHz и свръхвисоко честотни - над 300 MHz от механизма на движението на токоносителите — дифузни и дрейфови; от технологията на производството - [[сплав]]ни, конверсионни, епитаксиално-планарни, мезатранзистори и други.
 
==Многоемитерни транзистори==