Разлика между версии на „P-n преход“

+картинки
(Неправилна пунктуация.)
(+картинки)
[[File:Pn-junction-equilibrium.png|thumb|right|250px|Схема на p-n преход]]
'''P-n преход''' е област в [[полупроводник]], където [[дупчеста проводимост|p-проводимост]]та преминава в [[електронна проводимост|n-проводимост]]. Може да бъде създаден чрез добавяне на различни примеси в един и същ полупроводников [[кристал]] или чрез заваряване на два кристала с различна проводимост. В зависимост от начина на създаване преходът може да бъде рязък (при заваряване или стопяване) или плавен (при [[дифузия]]). Механизмът на действие на повечето полупроводникови елементи се основава на свойствата на P-n прехода - граничната област в полупроводников кристал между две обособени области с различна примесна проводимост.
[[File:PN diode with electrical symbol.svg|thumb|right|250px|Полупроводникова структура и обозначение на диод]]
При нормална температура всички примесни нива са възбудени и концентрацията на основните носители е съответно: P<sub>p</sub> на Р носителите в Р областта и n<sub>n</sub> на n носителите в n областта. Същевременно в двете области има и неосновни токови носители с концентрация P<sub>n</sub> и n<sub>p</sub> като тези носители са с пъти по-малко от основните.
'''P-n преход''' е област вна съприкосновение на [[полупроводник]]ци с различна проводимост, където [[дупчеста проводимост|p-проводимост]]та ('''''p''''', {{lang-en|positive}} — положителен) преминава в [[електронна проводимост|n-проводимост]] ('''''n''''', {{lang-en|negative}} — отрицателен). Може да бъде създаден чрез добавяне на различни примеси в един и същ полупроводников [[кристал]] или чрез заваряване на два кристала с различна проводимост. В зависимост от начина на създаване преходът може да бъде рязък (при заваряване или стопяване) или плавен (при [[дифузия]]). Механизмът на действие на повечето полупроводникови елементи се основава на свойствата на P-n прехода - граничната област в полупроводников кристал между две обособени области с различна примесна проводимост.
Този градиент на концентрацията е причина за появата на два дифузионни потока: на P носители от Р към n областта и на n към Р. Резултатният дифузионен ток през P-n прехода е: I<sub>диф.</sub> = I<sub>диф.Р</sub>+I<sub>диф.n</sub>. Проникналите P носители в n областта рекомбинират с електроните, поради което концентрацията на електроните в тази област намалява. Аналогично проникналите в P областта n носители рекомбинират с p носителите.
 
При нормална температура всички примесни нива са възбудени и концентрацията на основните носители е съответно: '''P<sub>p</sub>''' на '''Р''' носителите в '''Р''' областта и '''n<sub>n</sub>''' на '''n''' носителите в '''n''' областта. Същевременно в двете области има и неосновни токови носители с концентрация '''P<sub>n</sub>''' и '''n<sub>p</sub>''' като тези носители са с пъти по-малко от основните.
 
Този градиент на концентрацията е причина за появата на два дифузионни потока: на '''P''' носители от '''Р''' към '''n''' областта и на '''n''' към '''Р'''. Резултатният дифузионен ток през P-n прехода е:
::'''I<sub>диф.</sub> = I<sub>диф.Р</sub>+I<sub>диф.n</sub>.'''
 
Този градиент на концентрацията е причина за появата на два дифузионни потока: на P носители от Р към n областта и на n към Р. Резултатният дифузионен ток през P-n прехода е: I<sub>диф.</sub> = I<sub>диф.Р</sub>+I<sub>диф.n</sub>. Проникналите '''P''' носители в '''n''' областта рекомбинират с електроните, поради което концентрацията на електроните в тази област намалява. Аналогично проникналите в '''P''' областта '''n''' носители рекомбинират с '''p''' носителите.
== Право и обратно свързване на PN преход. ==
Основното свойство на PN прехода е т. нар. вентилен ефект - преминаване на [[Електрически ток|ток]] само в една посока.
 
Ако сменим посоката на напрежението, то тогава бедната на токоносители област става още по-бедна и съпротивлението и се увеличава. Ток почти не протича. Това се нарича '''обратно свързване'''.
 
{{Commonscat|PN-junction diagrams}}
 
[[Категория:Електроника]]