Уикипедия

CVD: Разлика между версии

Интерактивен преглед на историята
← По-стара редакцияПо-нова редакция →
Изтрито е съдържание Добавено е съдържание
ВизуаленУикитекст
Редакция без резюме
Редакция без резюме
Ред 1:
'''CVD''' ({{lang-en|Chemical Vapour Deposition}}) (химичнотоХимичното вакуумногазово отлагане) е [[технология]] за [[химия|химическо]] отлагане на материали в паро-газова среда при висока температура. Използва се за отлагане на [[диелектрик|диелектрични]] [[тънки слоеве]] и поликристален [[силиций]].
 
'''Приложение на диелектричните слоеве:'''
Ред 18:
 
Най-голямо приложение намират слоевете от силициев нитрид Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub> и [[силициев диоксид]] SiO<sub>2</sub>.
 
== Употреба ==
 
Химичното газово отлагането (CVD)се използва за създаването на повърхностен слой по начин, който традиционните техники не позволяват. Методът е много полезен при отлагане на атомни слоеве, тъй като позволява създаването на изключително тънък слой от материала. Той намира различни приложения Тънки слоеве от галиев арсенид (ICs) намират приложение във фотоволтаични устройства.
 
== Допълнителни материали ==
Взето от „https://bg.wikipedia.org/wiki/CVD“.