Уикипедия

Полеви транзистор: Разлика между версии

Интерактивен преглед на историята
← По-стара редакцияПо-нова редакция →
Изтрито е съдържание Добавено е съдържание
ВизуаленУикитекст
В България се наричат "емитер","база" и "колектор"
мРедакция без резюме
Ред 2:
'''Полевият транзистор''' е [[транзистор]], при който [[електрическа проводимост|електрическата проводимост]] на активната област между 2 електрода или т.нар. „канал“, създаден целенасочено в [[полупроводник]]ов материал, се контролира от [[електрическо поле]], създавано от трети електрод. Понякога полевите транзистори се наричат униполярни, защото за разлика от [[биполярен транзистор|биполярните транзистори]] липсва инжекция на токоносители и електронният ток се определя или само от [[електрон]]и или само от [[Полупроводник|дупки]]. Електрическите характеристики на полевите транзистори са близки до тези на електронните лампи тип [[пентод]]. В началото на електрическата характеристика има и една част в която поведението е като триодна лампа, но тя се ползва по-рядко (обикновено в измерителни прибори). Тъй като обикновено имат голямо [[входно съпротивление]], полевите транзистори могат да се използват и като резистори, управлявани по напрежение. Минималното съпротивление на наситен транзистор е от порядъка на 0,1 Ω и по-малко.
 
=== Термини ===
==== За изводите (електродите) на полевите транзистори се използват чуждите наименования ''сорс'', ''гейт'' и ''дрейн'' (от англ. source, gate и drain), а в руската техническа литература съответно ''исток'', ''затвор'' и ''сток''. В България се наричат "емитер"„емитер“,"база" и "колектор"„колектор“. При МОП-транзисторите съществува и четвърти елемент, ''подложка'', прилежащ до канала, но рядко се споменава защото почти винаги е свързан към сорса. Чрез прилагане на напрежение между гейта и подложката или между гейта и канала (сорса) се управлява проводимостта между сорса и дрейна. За разлика от [[биполярен транзистор|биполярните транзистори]], токът протичащ в управляващата верига е пренебрежимо малък и управлението се извършва само по напрежение. ====
 
=== Производство ===
За изработване на полевите транзистори се използват стандартните технологични процеси на обработка на [[полупроводник|полупроводници]], като в носещата [[монокристал]]на полупроводникова пластина се създава специална зона или проводящ канал. Каналът на полевия транзистор е или легиран (обогатен) с електрони, за да се получи полупроводник с [[n-тип проводимост]], или пък е обеднен на електрони, за да се получи полупроводник с [[p-тип проводимост]]. Заобикалящата го област е с противоположния тип проводимост, а между двете възниква [[P-N преход]].
 
== Видове полеви транзистори ==
При промяна на основните конструктивни показатели могат да се разглеждат различни видове полеви транзистори:
*В зависимост от вида изолация между гейта и сорса:
Line 29 ⟶ 32:
* В полупроводникови сплави от типа на алуминий-галиев арсенид се манипулира широчината на [[забранена зона|забранената зона]] и се получава HEMT (High Electron Mobility Transistor), наричан също така и HFET (heterostructure FET).
* TFT е ([[тънкослоен транзистор]]) на базата на [[аморфен силиций]], [[поликристален силиций]] или друг аморфен полупроводник.
* Подгрупа на TFT са OFET — – органични полеви транзистори, при които полупроводникът е органичен и често се използват и органични електроди и изолатори на гейта.
 
== Принцип на действие ==
Най-общо принципът на действие се базира на това, че при прилагането на напрежение към гейта се променя сечението на проводящия канал. При полеви транзистор с проводящ канал от n-тип в случай на подаване на отрицателно напрежение на гейта проводящият канал се стеснява, а може и да се затвори напълно (транзисторът се запушва). Обратно, подаването на положително напрежение на гейта привлича електрони към него и оформя проводящ (индуциран) канал. Транзисторът се отпушва и протича слаб ток. При малки напрежения е възможно чрез промяна на напрежението на гейта да се регулира проводимостта на канала. В този режим полевият транзистор действа като резистор. Ако обаче между сорса и дрейна се приложи по-голяма потенциална разлика, каналът започва да се затваря и се казва, че полевият транзистор се насища. При по-нататъшно нарастване на напрежението пропорционално се увеличава съпротивлението на канала, а токът остава постоянен и се определя от напрежението на гейта. В този режим полевият транзистор вместо като резистор работи като генератор на постоянен ток и може да бъде използван за усилвател.
 
В цифровите електронни схеми полевият транзистор се използва почти изключително като обикновен вентил с две състояния — – отпушено и запушено.
 
== История ==
Line 45 ⟶ 49:
Най-голямо приложение намират MOS полевите транзистори. Всъщност технологията им е в основата на модерната планарна технология на производство на [[интегрална схема|интегрални схеми]]. При нея комплементарни двойки MOS-транзистори (с [[n-тип проводимост]] и [[p-тип проводимост]]) образуват логически вериги.
 
== Виж също ==
[[Биполярен транзистор]]
 
== Външни препратки ==
 
*[http://www.pbs.org/transistor/science/info/transmodern.html Полеви транзистор (на английски)]
* Щатски университет на Флорида - – [http://micro.magnet.fsu.edu/electromag/java/transistor/ Building A Transistor] - – програма на Java, показваща етапите в производството на полеви транзистор с индуциран канал и неговата работа (на английски)
 
[[Категория:Полупроводникови компоненти]]
Взето от „https://bg.wikipedia.org/wiki/Полеви_транзистор“.