Подложка (електроника): Разлика между версии

Изтрито е съдържание Добавено е съдържание
м Робот Добавяне {{без източници}}
м {{lang-en}}; козметични промени
Ред 1:
{{без източници}}
[[ImageФайл:etchedwafer.jpg|thumbмини|Подложка]]
'''Подложка''' ('''пластина''') (на [[английски език{{lang-en|английски]] '''wafer'''}}) е тънка пластина от [[полупроводник]]ов материал (например [[силиций]]) която се използва при производството на [[интегрална схема|интегрални схеми]] и [[слънчева батерия|слънчеви батерии]] и други полупроводникови елементи.
 
== Производство ==
[[FileФайл:Czochralski Process bg.svg|thumbмини|350px|[[Процес на Чохралски]]]]
[[FileФайл:Wafer_2_Zoll_bis_8_Zoll_2.jpg|thumbмини|200px|Подложки с диаметър 2 inch, 4 inch, 6 inch, and 8 inch]]
 
Подложките се формират от чист, почти без дефекти монокристал. Един от начините за производство на подложки е [[Процес на Чохралски]] изобретен от полския химик [[Ян Чохралски]]. При този процес цилиндричната заготовка се "изтегля" от разтопения силиций. След това монкристалната заготовка се нарязва с диамантени остриета и след това се полира за да бъдат получени подложки.
 
=== Стандартни размери ===
Силициевите подложки имат размери от 1 inch (25.4 mm) до 11.8 inches (300 mm). Поради едновременната обработка на много [[чип]]ове на една подложка, с нарастването на размера се намалява цената на един чип и се подобрява производителноста.
* 1 inch (25.4 mm). Дебелина 275 µm.
Ред 27:
* [[Планарна технология]]
* [[Процес на Чохралски]]
* [[Слънчева батерия]]
* [[Микроелектроника]]