Разлика между версии на „Хардуер“

3 байта изтрити ,  преди 3 години
м
Bot: Automated text replacement (-( +()
м (Добавяне на Категория:Компютърна терминология, ползвайки HotCat)
м (Bot: Automated text replacement (-( +())
'''Памет с произволен (непосредствен) достъп''' или '''RAM''' ({{lang-en|на=от|random-access memory}}) е вид компютърна памет, която позволява неограничен достъп до произволна част от запаметените данни, за разлика от паметта с последователен достъп, и която има относително голяма скорост, за разлика от запаметяващи устройства като твърдите дискове. Най-често под RAM се разбира динамична памет с произволен достъп, която намира широко приложение като оперативна памет в изчислителната техника.
 
RAM е основната памет, която се адресира. Тя е голяма и по размер се доближава до виртуалното адресно пространство. Cache паметта трябва да е много бърза, затова се прави от статична рам памет и за всеки бит са нужни по 6 биполярни транзистора. Това отнема много място и отделя голямо количество топлина. За основната памет се използва DRAM ( Dynamic RAM ), базирана на друг принцип ( MOS = Metal Oxide Semiconductor ). Силицият е полупроводник, а SO2 е изолаторна пластина и върху нея е поставена метална плочка. Между металната плочка и силиция се получава кондензатор. В зависимост от посоката, в която е зареден n-островчето слиза надолу или се качва нагоре. В зависимост от това дали каналът е отворен, може или не може да се стигне от единия gate до другия. Така се пази 1 бит (1 или 0). Технически проблем е, че състоянието се пази от заряда на кондензатора, който е много малък, поради което се саморазрежда и критичното време за разреждането му е 2ms, т.е. помни само 2 ms. Затова на всеки 2 милисекунди кондензаторът трябва да се презарежда – така нареченият refresh на динамичната памет. Преминаването на ток между двата gate-a е деструктивно – разваля съдържанието, затова при четене съдържанието трябва да се възстанови. Въпреки това този вид памет се използва, защото е много икономична. Минимален ток => няма греене, а също така се постига огромна плътност ( bit/mm2 ), което компенсира недостатъка с refresh-a. Поради наличието на капацитет на кондензатора четенето и писането е по-бавно от това в cache паметта, която е съставена от транзистори, пък били те и 6.
 
Intel първи разработват тези полупроводникови RAM памети. Заводите са много скъпи – един такъв струва няколко милиарда долара. Самите елементи се произвеждат в бели стаи. Плътността на полупроводниковите елементи е огромна – няколко милиона на cm2.