Силициев карбид: Разлика между версии

Тъй като моасанитът е изключително рядък, повечето силициев карбид се набавя по изкуствен път. Най-простият процес за това е да се комбинира силициев пясък и въглерод в пещ с електрическо съпротивление при висока температура, между 1600 и 2500 °C. Фини частици SiO₂ в растителен материал (например оризови люспи) също могат да бъдат преобразувани в SiC чрез нагряване на излишният въглерод от органичния материал.<ref>{{cite journal| author = Vlasov, A.S. et alia|title = Obtaining silicon carbide from rice husks| journal = Refractories and Industrial Ceramics|volume = 32|issue = 9 – 10|year = 1991| pages=521 – 523| doi=10.1007/bf01287542}}</ref> Силициевият дим, който е вторичен продукт от произвеждането на силиций и феросилициеви сплави, също може да бъде превърнат в SiC чрез нагряване с [[графит]] при 1500 °C. <ref>{{cite journal|author1=Zhong, Y. |author2=Shaw, Leon L. |author3=Manjarres, Misael |author4=Zawrah, Mahmoud F. |lastauthoramp=yes |title = Synthesis of Silicon Carbide Nanopowder Using Silica Fume | journal = Journal of American Ceramic Society | volume = 93|year =2010| pages=3159 – 3167 | doi= 10.1111/j.1551-2916.2010.03867.x| issue = 10}}</ref>

 

|+ Структури на полиморфни форми на SiC.

|[[Файл:SiC3Cstructure.jpg|center|160п]]

|(α)6H-SiC

|}

 

== Източници ==