MOS транзистор: Разлика между версии

[[FileФайл:MOSFET Structure.png|thumbмини|Структура на MOS транзистор]]

'''MOS транзистор''' ({{lang-en|'''M'''etal '''O'''xide '''S'''emiconductor -– метал-оксид-полупроводник}}) е [[полеви транзистор]] с изолиран [[гейт]]. При полевия транзистор действието се основава на преместването на основните токоносители. При MOS транзистора управляващият електрод е изолиран от канала и от целия прибор с тънък слой [[силициев диоксид]]. Има много голямо [[входно съпротивление]], а действието му се основава на изменението на [[проводимост]]та на повърхностния слой под действието на [[електрическо поле|електрическото поле]].