P-n преход: Разлика между версии
Изтрито е съдържание Добавено е съдържание
м Бот: Козметични промени |
м замяна с n-тире |
||
Ред 2:
[[Файл:Pn-junction-equilibrium.png|мини|дясно|250px|Схема на p-n преход]]
[[Файл:PN diode with electrical symbol.svg|мини|дясно|250px|Полупроводникова структура и обозначение на диод]]
'''P-n преход''' е област на съприкосновение на [[полупроводник|полупроводници]] с различна проводимост, където [[дупчеста проводимост|p-проводимостта]] ('''''p''''', {{lang-en|positive}} — положителен) преминава в [[електронна проводимост|n-проводимост]] ('''''n''''', {{lang-en|negative}} — отрицателен). Може да бъде създаден чрез добавяне на различни примеси в един и същ полупроводников [[кристал]] или чрез заваряване на два кристала с различна проводимост. В зависимост от начина на създаване преходът може да бъде рязък (при заваряване или стопяване) или плавен (при [[дифузия]]). Механизмът на действие на повечето полупроводникови елементи се основава на свойствата на P-n прехода
При нормална температура всички примесни нива са възбудени и концентрацията на основните носители е съответно: '''P<sub>p</sub>''' на '''Р''' носителите в '''Р''' областта и '''n<sub>n</sub>''' на '''n''' носителите в '''n''' областта. Същевременно в двете области има и неосновни токови носители с концентрация '''P<sub>n</sub>''' и '''n<sub>p</sub>''' като тези носители са с пъти по-малко от основните.
Ред 12:
== Право и обратно свързване на PN преход. ==
Основното свойство на PN прехода е т. нар. вентилен ефект
Ако подадем [[електрическо напрежение|напрежение]] с положителен потенциал към Р съответно и отрицателен към N слоевете, то дупките и електроните започват да се движат към прехода и се елиминират там - протича ток при сравнително малки стойности (0,1 до към 1 [[Волт|V]]) на напрежението. Това се нарича '''право свързване'''.
| |||