Процес на Чохралски: Разлика между версии

Първата стъпка от процеса е разтапянето на силиций с висока степен на чистота в [[тигел]], най-често направен от [[кварц]]. Към силиция се прибавят примеси (най-често [[бор (елемент)|бор]] или [[фосфор]]), които променят електрическите свойства на силиция (при прибавяне на [[бор (елемент)|бор]] се получава n-силиций (с [[електронна проводимост|n-проводимост]]), а при прибавяне на [[фосфор]] – p-силиций (с [[дупчеста проводимост|p-проводимост]])). Температурата на силиция се понижава до близка на тази на втвърдяването, след което в него се потапя пръчка, която има на върха си силициев монокристал („зародиш“). Понеже кристалът на върха на пръчката има по-ниска температура от тази на разтопения силиций, силицият в непосредствена близост до него се втвърдява и залепва за него. Пръчката се изтегля нагоре и едновременно се върти (със скорост 3 – 4 сантиметра в час и 1 – 2 оборота в минута). Чрез прецизно контролиране на температурата и скоростта на въртене на пръчката е възможно да бъде изтеглен голям монокристал. За да се избегне окисляването, целият процес се извършва в среда на инертен газ (например [[аргон]]) и в камера от инертен материал (например [[кварц]]).