Полеви транзистор: Разлика между версии

м
интервал; козметични промени
м (Унифициране на заглавия на раздел Вижте също)
м (интервал; козметични промени)
[[ImageФайл:P45N02LD.jpg|thumbмини|200px|Полеви транзистор.]]
'''Полевият транзистор''' е [[транзистор]], при който [[електрическа проводимост|електрическата проводимост]] на активната област между 2 електрода или т.нар. „канал“, създаден целенасочено в [[полупроводник]]ов материал, се контролира от [[електрическо поле]], създавано от трети електрод. Понякога полевите транзистори се наричат униполярни, защото за разлика от [[биполярен транзистор|биполярните транзистори]] липсва инжекция на токоносители и електронният ток се определя или само от [[електрон]]и или само от [[Полупроводник|дупки]]. Електрическите характеристики на полевите транзистори са близки до тези на електронните лампи тип [[пентод]]. В началото на електрическата характеристика има и една част в която поведението е като триодна лампа, но тя се ползва по-рядко (обикновено в измерителни прибори). Тъй като обикновено имат голямо [[входно съпротивление]], полевите транзистори могат да се използват и като резистори, управлявани по напрежение. Минималното съпротивление на наситен транзистор е от порядъка на 0,1 Ω и по-малко.
 
== Видове полеви транзистори ==
При промяна на основните конструктивни показатели могат да се разглеждат различни видове полеви транзистори:
* В зависимост от вида изолация между гейта и сорса:
** с изолиран гейт
**: след създаване на канала повърхността на силициевия монокристал се оксидира (силициевия диоксид SiO<sub>2</sub> е изолатор), и отгоре се нанася метален слой. Оттам идва съкращението '''метал-оксид-полупроводник (МОП)'''. Понякога се търси еднаквост с английското съкращение MOS (''Metal-Oxide-Semiconductor''), и се интерпретира като '''метал-оксид-силиций (МОС)'''. Тези транзистори са основни за цифровата схемотехника и поради нейното разпространение са най-масови.
** с p-n преход
**: гейта и канала образуват p-n преход и при подаване на обратно напрежение зоната около прехода обеднява откъм носители и повишава съпротивлението на канала. Този тип транзистори се използват по-рядко, предимно за аналогови усилватели.
* В зависимост от типа проводимост на канала:
** с p-канал
**: подложката е от полупроводник с електронна проводимост (n-полупроводник) и чрез добавяне на примеси или чрез прилагане на електрически потенциал се изгражда област с дупчеста проводимост (канал) между сорса и дрейна.
** с индуциран канал / в режим на обогатяване
**: чрез прилагане на електрически потенциал над определена прагова стойност върху гейта, в подложката се образува област наситена с противоположния тип носители, и тя служи за канал между сорса и дрейна.
*: Породения канал може да съществува само при МОС транзисторите, а транзисторите с p-n преход винаги имат изграден канал.
* В зависимост от броя гейтове: едно- или дву-гейтови (само в МОП изпълнение). Дву-гейтовия МОП-транзистор има характеристики, близки до тези на [[електронна лампа хептод|електронната лампа хептод]].
* При '''метал-полупроводник полевите транзистори (MOS-FET)''' [[P-N преход]]ът е заменен с [[Бариера на Шотки]]; използва се при устройства, създадени на базата на [[галиев арсенид]] или други III-V полупроводникови материали.
 
== Външни препратки ==
* [http://www.pbs.org/transistor/science/info/transmodern.html Полеви транзистор (на английски)]
* Щатски университет на Флорида – [http://micro.magnet.fsu.edu/electromag/java/transistor/ Building A Transistor] – програма на Java, показваща етапите в производството на полеви транзистор с индуциран канал и неговата работа (на английски)