Разлика между версии на „Полупроводник“

м
интервал; козметични промени
м (интервал; козметични промени)
 
== Общи свойства на полупроводниците ==
# По своята електропроводимост (при стайна температура) чистите полупроводници заемат средно място между проводниците и диелектриците.
# Прибавянето на нищожен процент примеси извънредно силно повишава проводимостта им.
# Температурата особено силно влияе върху електрическото съпротивление на полупроводниците. За разлика от металите те имат отрицателен температурен коефициент на съпротивление.
# Механизмът на електропроводимостта на полупроводниците се различава качествено от този на металите. При металите токоносители са само електроните, а при полупроводниците – електроните и електронните [[Дупки (химия)|дупки]].
 
== Принцип на протичане на ток през полупроводници ==
[[FileФайл:Зонови диаграми.svg|мини|350px|Енергийни зонови диаграми на метали, полуметали, полупроводници и изолатори (диелектрици).]]
Електричните свойства на полупроводниците не могат да бъдат обяснени напълно със законите на [[класическа механика|класическата физика]], а чрез [[квантова механика|квантовата механика]] и по специално – със зонната теория.
 
== Проводимост ==
=== Собствена проводимост на полупроводниците ===
Чистият полупроводник, в който няма [[примес]]и, се нарича собствен полупроводник, а проводимостта му – собствена. Това означава също, че броят на свободните електрони, породени при топлинното движение, е равен на броя на [[Дупки (химия)|дупкидупките]]те.
 
n<sub>i</sub>=p<sub>i</sub>
==== Дупчеста проводимост ====
{{основна|Дупчеста проводимост}}
[[FileФайл:P type semiconductor.png|мини|Дупчеста проводимост]]
p-проводимост се получава чрез въвеждане (дотиране) на тривалентни примеси (акцептори) – в кристалната решетка се образуват „дупки“. Когато в един полупроводников кристал (типично от [[силиций]] (Si) или [[германий]] (Ge), които са от IV група) част от атомите в решетката са заменени от атоми от III група (предимно индий (In), бор (В), галий (Ga), алуминий (Al)), на тези места се образуват три ковалентни връзки между [[електрон]]ите на елемента от 3-та група и атомите около него. Остава един атом от полупроводниковия кристал, който не образува ковалентна връзка, а остава свободен. За да се образува ковалентна връзка трябва един електрон от друго място да запълни „дупката“. Този електрон може да се е откъснал от полупроводников атом, което довежда до ново „незаето“ място. Така започва един процес на запълване и отваряне на нови „дупки“. Този процес се нарича дупчеста проводимост.
 
==== Електронна проводимост ====
{{основна|Електронна проводимост}}
[[FileФайл:N type semiconductor.png|мини|Електронна проводимост]]
n-проводимост се получава чрез въвеждане на петвалентни примеси (донори) – в кристала се получават свободни електрони. Антимон (Sb), арсен (As), фосфор (Р) се използват като петвалентни донори.