P-n преход: Разлика между версии
Изтрито е съдържание Добавено е съдържание
м интервал |
{{lang-en}} => {{lang|en}} |
||
Ред 2:
[[Файл:Pn-junction-equilibrium.png|мини|дясно|250px|Схема на p-n преход]]
[[Файл:PN diode with electrical symbol.svg|мини|дясно|250px|Полупроводникова структура и обозначение на диод]]
'''P-n преход''' е област на съприкосновение на [[полупроводник|полупроводници]] с различна проводимост, където [[дупчеста проводимост|p-проводимостта]] ('''''p''''', {{lang
При нормална температура всички примесни нива са възбудени и концентрацията на основните носители е съответно: '''P<sub>p</sub>''' на '''Р''' носителите в '''Р''' областта и '''n<sub>n</sub>''' на '''n''' носителите в '''n''' областта. Същевременно в двете области има и неосновни токови носители с концентрация '''P<sub>n</sub>''' и '''n<sub>p</sub>''' като тези носители са с пъти по-малко от основните.
|