P-n преход: Разлика между версии

Изтрито е съдържание Добавено е съдържание
BotNinja (беседа | приноси)
{{lang-en}} => {{lang|en}}
Редакция без резюме
Ред 1:
{{с малка буква}}
{{без източници}}
[[Файл:Pn-junction-equilibrium.png|мини|дясно|250px|Схема на p-n преход]]
[[Файл:PN diode with electrical symbol.svg|мини|дясно|250px|Полупроводникова структура и обозначение на диод]]
'''Pp-n преход''' е област на съприкосновение на [[полупроводник|полупроводници]] с различна проводимост, където [[дупчеста проводимост|p-проводимостта]] ('''''p''''', {{lang|en|positive}} – положителен) преминава в [[електронна проводимост|n-проводимост]] ('''''n''''', {{lang|en|negative}} – отрицателен). Може да бъде създаден чрез добавяне на различни примеси в един и същ полупроводников [[кристал]] или чрез заваряване на два кристала с различна проводимост. В зависимост от начина на създаване преходът може да бъде рязък (при заваряване или стопяване) или плавен (при [[дифузия]]). Механизмът на действие на повечето полупроводникови елементи се основава на свойствата на P-n прехода – граничната област в полупроводников кристал между две обособени области с различна примесна проводимост.
 
При нормална температура всички примесни нива са възбудени и концентрацията на основните носители е съответно: '''P<sub>p</sub>''' на '''Р''' носителите в '''Р''' областта и '''n<sub>n</sub>''' на '''n''' носителите в '''n''' областта. Същевременно в двете области има и неосновни токови носители с концентрация '''P<sub>n</sub>''' и '''n<sub>p</sub>''' като тези носители са с пъти по-малко от основните.