Йонна имплантация: Разлика между версии

Използваните енергии са в рамките между 10 до 500 keV. При енергии между 1 и 10 keV проникването на частиците в [[Подложка (електроника)|подложката]] е много плитко – не повече от няколко [[Нанометър|нанометра]]. При ощеОще по-малкималките енергии повърхносттасе наизползват подложкатане практическиза неимплантация сена нарушавайони, ноа могатпри да се избиват атоми от подложката и това се използва зайонно-лъчевото нанасяне на [[тънки слоеве]], покато методапри тези енергии повърхността на йоннолъчевоподложката [[разпрашване]]практически не се нарушава. При използване на големи енергии, внедряването на йоните в подложката се съпровожда с нарушаване на нейното атомно подреждане, на структурата на решетката. В зависимост от дозата на имплантираните йони степента на нарушаването варира от единични дефекти, породени вследствие на разместване на атомите на решетката, до нейната [[Аморфна структура|аморфизация]] при [[Кристална структура|кристалните]] материали. При много големи дози може да се прояви процес на [[разпрашване]] – избиване на атоми от повърхността на мишената. Този страничен ефект на имплантацията се наблюдава при използване на йони с голяма маса, малка енергия и голям ъгъл между йонния лъч и повърхността на мишената.<ref name="гуидо"/><ref name="лули">[https://www.bo.imm.cnr.it/users/lulli/didattica/Resources/Lulli_2014.pdf G. Lulli. Introduction to Ion Implantation. CNR Institute for Microelectronics and Microsystems (IMM) Bologna]</ref><ref name="алан">[http://alan.ece.gatech.edu/ECE6450/Lectures/ECE6450L5-Ion%20Implantation.pdf Ion Implantation]</ref>