Силициев карбид
Силициевият карбид (SiC) е съединение на силиция с въглерода. В чист вид е безцветен кристал с диамантен отблясък, техническият продукт има зелен или червен цвят. Силициевият карбид е труднотопим (топи се с разлагане при температура 2830 °C) по твърдост отстъпва само на диаманта и борния карбид B4C. Той е устойчив в различни химични среди, включително при високи температури. Употребява се като абразив (при шлифоване), за рязане на твърди метали, в електротехниката, за изработване на химическа и металурическа апаратура.
| Силициев карбид | |
 | |
| Свойства | |
|---|---|
| Формула | SiC |
| Моларна маса | 40,0962 g·mol−1 |
| Плътност | 3,16 g·cm−3 |
| Точка на топене | 2830 °C |
| Сублимация | 2700 °C |
| Парно налягане | 0 Pa (20 °C) |
| Подвижност на токоносителите | ~900 cm2/V·s |
| Магнитна възприемчивост | −12,8·10−6 cm3/mo |
| Показател на пречупване | 2,55[1] |
| Опасности | |
| NFPA 704 |  0
1
0
|
| Идентификатори | |
| CAS номер | 409-21-2 |
| PubChem | 9863 |
| ChemSpider | 9479 |
| Номер на ЕК | 206-991-8 |
| MeSH | Silicon+carbide |
| ChEBI | 29390 |
| RTECS | VW0450000 |
| SMILES | [C-]#[Si+] |
| InChI | 1S/CSi/c1-2 |
| InChI ключ | HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYAF |
| UNII | WXQ6E537EW |
| Gmelin | 13642 |
| Данните са при стандартно състояние на материалите (25 °C, 100 kPa), освен ако не е указано друго. | |
| Силициев карбид в Общомедия | |
Срещане в природата редактиране
Естествено възникващият моасанит се среща само в миниатюрни количества в някои видове метеорити и в корундови находища и кимбърлит. На практика всичкият силициев карбид, който се продава в света, включително и бижутата от моасанит, е изкуствен. И докато съединението е рядко на Земята, то е доста често срещано в космоса. То е често срещана форма на космически прах около въглеродните звезди.
Производство редактиране
Тъй като моасанитът е изключително рядък, повечето силициев карбид се набавя по изкуствен път. Най-простият процес за това е да се комбинира силициев пясък и въглерод в пещ с електрическо съпротивление при висока температура, между 1600 и 2500 °C. Фини частици SiO2 в растителен материал (например оризови люспи) също могат да бъдат преобразувани в SiC чрез нагряване на излишния въглерод от органичния материал.[2] Силициевият дим, който е вторичен продукт от произвеждането на силиций и феросилициеви сплави, също може да бъде превърнат в SiC чрез нагряване с графит при 1500 °C. [3]
 |
 |
 |
| (β)3C-SiC | 4H-SiC | (α)6H-SiC |
Източници редактиране
- ↑ www.ioffe.ru
- ↑ Vlasov, A.S. et alia. Obtaining silicon carbide from rice husks // Refractories and Industrial Ceramics 32 (9 – 10). 1991. DOI:10.1007/bf01287542. с. 521 – 523.
- ↑ Synthesis of Silicon Carbide Nanopowder Using Silica Fume // Journal of American Ceramic Society 93 (10). 2010. DOI:10.1111/j.1551-2916.2010.03867.x. с. 3159 – 3167.
