Мемристор (на английски: memristor) е електронен пасивен елемент, като названието му идва от комбинирането на „memory“-памет и „resistor“ – резистор). Неговото основно свойство е да изменя съпротивлението си в зависимост от протичащия през него електричен заряд. Тази зависимост е нелинейна и се проявява най-силно в наномащаби. Може да бъде разглеждан и като четвърти клас електронна схема сред основните пасивни елементи: резистор, кондензатор и индуктивен елемент.

Мемристор
Memristor.png
концептуална схема
Вид пасивен
Изобретен Леон Чуа (Leon Chua), 1971 г.
Символично означение
Memristor-Symbol.svg
Мемристор в Общомедия

ИсторияРедактиране

Изследванията за създаване на елементи с подобно действие датират още от законите на Фарадей 1808.

Елементът е изобретен през 1971 от Леон Чуа (Leon Chua))[1]. В самото начало е използван само в няколко примерни схеми. По-късно елементът се използва в специални схеми, като чрез него се реализират различни комбинации между съпротивление, електрическо напрежение и електричен заряд.

През 2008 г. американската компания Hewlett-Packard създава лабораторен образец. Според заявления на фирмите Hynix и Hewlett-Packard, технологията вече е готова за производство на мемристори. Отначало се съобщава, че памети на базата на мемристори ще се появят през 2013 г.[2], но по-късно пускането им е отложено за 2014 г.[3][4]

ТеорияРедактиране

Дефиниран е като нелинеен елемент и се определя връзката между магнитния поток и електричния заряд. Измервателните единици на елемента са мемристенз и се измерва (Wb/C, (вебер за кулон) или ом) с диференциално уравнение M = dΦm / dq. Принципната волт-амперна характеристика на елемента е деформиран хистерезис.

 
Принципна волт-амперна характеристика

Видове мемристориРедактиране

Молекулярна и йонна мемристорна системаРедактиране

  • мемристори от титанов диоксид
  • Полимерни мемристори
  • Манганатни мемристорни системи
  • Резонансно-тунелни мемристори
  • Силициево-оксидни мемристори

Спин базиран и магнитна мемристорна системаРедактиране

  • Спинтроник мемристори

Терминални мемристориРедактиране

ПриложениеРедактиране

Елементът може да се използва като материал за изработване на носители на информация (електрически сигнали) или компютърна памет.

Учените Massimiliano Di Ventra (Масимилияно Ди Вентра), Pershin(Першин) и Chua (Чуа) разработват елементите Мемкондензатор и Меминдуктор въз основа на мемристорната система.

Вижте същоРедактиране

ИзточнициРедактиране

Външни препраткиРедактиране