Фоторезистор: Разлика между версии

Изтрито е съдържание Добавено е съдържание
мРедакция без резюме
м форматиране: 6lokavica, тире (ползвайки Advisor)
Ред 1:
'''Фоторезистор''' (на английски – ''LDR'' (''Light Dependent Resistor'')) е полупроводников електронен елемент - – [[резистор]], чието съпротивление е в обратнопропорционална зависимост от падащия върху него светлинен поток.
 
Фоторезисторите се изработват най-често чрез нанасяне на [[полупроводник]]ов материал върху [[кварц]]ова или керамична подложка. За предпазване от атмосферни влияния, които биха компрометирали неговото функциониране, фоточувствителната част се покрива с прозрачен хидрофобен лак. Фоторезисторът не е генериращ сензор, поради което изисква да му бъде подадено определено работно напрежие, което предизвиква протичането на съответен начален ток – „ток на тъмно“. Облъчването със светлина на полупроводниковата структура на фоторезистора води до генериране на допълнителни токоносители в нея, в резултат на което съпротивлението му пада и поражда намаляване на пада на напрежение между двата му извода. Основен параметър за всеки фоторезистор е специфичната интегрална чувствителност k0 = If/U*Φ [A/V*lm], или отношението на фототокaфототока към произведението от приложеното напрежение и падащият светлинен поток. Фототокът зависи и от честотата на светлинната вълна, като има ясно изразен максимум, който може да бъде в инфрачервения, видимия или ултравиолетовия спектър. Фоторезисторите са относително инертни сензори, поради което използването им при честоти над 10 kHz е проблематично.
 
Основните параметри на фоторезисторите са: