Компютърна памет: Разлика между версии
Изтрито е съдържание Добавено е съдържание
+ш експерт |
Редакция без резюме |
||
Ред 1:
{{експерт}}
'''Компютърната памет''' е част от устройството на [[Електронно изчислителна машина|изчислителните машини]]. Представлява физическо устройство или среда за съхранение на данни. Съществуват два вида компютърни памети според това дали съхраняват информацията си след изключване на захранването им. [[Енергозависима памет|Енергозависимите памети]] от тип [[RAM]] – [[DRAM]], [[SRAM]] служат за краткосрочно съхранение на оперативна информация и се характеризират с много къси времена на достъп за четене и запис. [[Енергонезависима памет|Енергонезависимата памет]]: [[магнитна лента]], [[флаш-памет]], [[Флопидисково устройство|флопи]], [[твърд диск]], CD и други, съхранява записаната информация и след изключване на захранването и служи за относително дългосрочно съхранение на тази информация.
<!--
== Основна структура на полупроводникови памети ==
Ред 96:
;DDRАМ ''(Double Data Rate RAM'').
За тази следваща генерация синхронни статични и динамични е характерно:
*Честотата на модула остава в същите граници f<sub>M</sub>=100÷200MHz;
Line 141 ⟶ 142:
{| class="MsoNormalTable"
| ''Наименование''▼
|▼
| ''Тактова честота''<br />f''<sub>M</sub>''<br />[MHz]
▲''Наименование''
| ''Период цикъл''<br />t<sub>M</sub> =1/f<sub>M</sub><br />[ns}
| ''Честота I/O шина''<br />f''<sub>I/O</sub>''<br />[MHz]▼
| ''
| ''Байтова скорост''<br />''V<sub>B</sub>''<br />[MB/s]▼
▲ |-
▲''Честота I/O шина''
▲ f''<sub>I/O</sub>''
▲''Байтова скорост''
|
DDR1-х
Line 417 ⟶ 383:
В много памети за всеки байт се предвижда по един допълнителен бит за проверка по четност. Така R<sub>W</sub> придобива значения съответно 9,18, 36 и 72 бита.
=== Тенденции на развитие на паметите ===
През последните години активно се работи са създаване на памети с голям обем, които да съчетават оперативността на ''RAM'' и енерго'''не'''зависимостта и удобствата на ''FlashROM.'' Едно от направленията в тази насока са [[SSD]] твърдите дискове.
Други направления не са на полупроводникова основа.
Технологията на '''''MRAM''''' използва магнито-резистивен ефект между два тънки феромагнитни слоя. За да дефинират двете състояния на електронния ключ – отворено и затворено, при ''MRAM'' се прилага магнитен момент, вместо електрически заряд.
B средата на 2008 г. фирмата [[Hewlett Packard]] обяви за създаване на нов тип енергонезависима памет [[мемристор]], която използва нелинеен резистор с нано размери, имащ две стойности на съпротивление, отговарящи на '''''0''''' и '''''1,'''''
които се запазват и без електрическо захранване. Това е постигнато чрез структура от две платинени нишки, разделени от тънък само 150 атома слой от титаниев двуокис. Перспективата е да се постигне плътност на енергонезависимо запазване на данни от порядъка на 100 гигабита на квадратен сантиметър.
== Вижте също ==
| |||