Термичното окисление е основен процес на термична обработка в планарната технология на микроелектронното производство, чийто резултат е получаване на тънък слой оксид (най-често силициев диоксид) върху повърхността на подложка. Процесът се извършва като окисляващият агент взаимодейства с подложката при висока температура и дифундира в нея. Термичното окисление може да бъде приложено за различни материали, но в тази статия ще бъде разгледано само окислението на силициев субстрат за израстване на силициев диоксид.

Химична реакция

редактиране

Термичното окисление на силиций се извършва обикновено при температури от 800 до 1200 °C, което води до така наречения високотемпературен оксиден слой. При окисляването може да се използва водна пара или молекулярен кислород. Поради тази причина окисляването се нарича мокро или сухо. Химичната реакция е една от следните:

 
 

Окисляващият агент може да съдържа няколко процента солна киселина (HCI). Хлорът премахва металните йони, които може да се срещнат в оксида.

Термичното окисление включва взаимодействието на атоми силиций от подложката с молекули кислород от околната среда. Слоят израства върху пластината и над нея. За всеки един консумиран слой силиций се появяват 2.17 оксидни слоя. Ако открита повърхнина на силициев кристал се окисли, 44% от оксидния слой ще лежи върху повърхнината, а 56% над нея.

    Тази страница частично или изцяло представлява превод на страницата Thermal oxidation в Уикипедия на английски. Оригиналният текст, както и този превод, са защитени от Лиценза „Криейтив Комънс – Признание – Споделяне на споделеното“, а за съдържание, създадено преди юни 2009 година – от Лиценза за свободна документация на ГНУ. Прегледайте историята на редакциите на оригиналната страница, както и на преводната страница, за да видите списъка на съавторите. ​

ВАЖНО: Този шаблон се отнася единствено до авторските права върху съдържанието на статията. Добавянето му не отменя изискването да се посочват конкретни източници на твърденията, които да бъдат благонадеждни.​