Уикипедия

Иван Странски (физикохимик)

Disambig.svg Тази статия е за българския физикохимик. За почвоведа вижте Иван Странски (почвовед).

Иван Николов Странски е български учен, основател на българската школа по физикохимия и считан за „баща“ на кристалния растеж.

Иван Странски
български физикохимик
Роден
Починал
19 юни 1979 г. (82 г.)
София, България
ПогребанБерлин, Федерална република Германия
Учил вСофийски университет
НаградиОрден „Св. св. Кирил и Методий“
Научна дейност
ОбластФизикохимия
Работил вТехнически университет - Берлин
Свободен Университет Берлин
Софийски университет
Иван Странски в Общомедия
Иван Странски

БиографияРедактиране

Иван Странски е роден в София в семейството на Никола Странски, придворен аптекар, и Мария Странска (рождено име Корн, немкиня от Прибалтика). То е част от калоферския род Странски, чичо на Иван е революционерът и политик Георги Странски, а негов първи братовчед е почвоведът Иван Странски. От детска възраст страда от заболяването костна туберкулоза, нелечима по онова време.

Завършва средното си образование в Първа мъжка софийска гимназия. С идеята да се бори с болестта си, решава да следва медицина, но след една година следване във Виена, силно разочарован от възможностите на медицината, решава да прекъсне. През 1922 г. завършва висше образование в Софийския университет, специалност химия. Защитава докторска дисертация в Берлин при Паул Гюнтер върху рентгенова спектроскопия. През 1925 е избран за първия доцент в новооткритата Катедра по физикохимия към Физикоматематическия факултет на Софийския университет, и става първият преподавател по физикохимия в България. От 1929 г. е вече извънреден професор, а редовен – от 1937. В преподавателската си кариера води лекции по всички области на физикохимията, привлича в катедрата способни учени – Ростислав Каишев, Любомир Кръстанов и др. – заедно с които прави най-значителните си разработки. През 1930 е поканен в Берлинския технически университет (БТУ) като Рокфелеров стипендиант за съвместна работа с Макс Фолмер заедно с Каишев. В периода 1935 – 1936 с Каишев публикуват основоположните си трудове по теорията на средните отделителни работи. По-късно с Любомир Кръстанов предлагат механизма на растеж на кристал върху подложка от друг кристал.

По покана на Валтер Косел за съвместна работа в Бреслау, заминава за Германия през 1941. През войната участва в разработки, например, за предотвратяване на образуването на ледени кристали върху немските самолети. С приближаването на съветската армия към границите на Германия, Странски се завръща отново в Берлин, където работи в Кайзер Вилхелм институт за физикохимия и електрохимия. След капитулацията на немците Макс Фолмер е отведен насилствено в СССР и Странски заема неговото място като ръководител на Катедрата по физикохимия в БТУ в западен Берлин. Полуунищожен от бомбардировките, чрез усилията на Странски, БТУ е от малкото университети в Германия, открили учебна година още през 1945. В периода 1948 – 49 е декан на факултета по общи и инженерни науки, а след това ректор и заместник-ректор на БТУ. През 1953 става директор на Фриц Хабер институт (новото име на Кайзер Вилхелм институт), пост, който са заемали Макс фон Лауе и Алберт Айнщайн.

С идването на социалистическата власт в България Странски е обвинен във връзки с фашисткия режим и е уволнен от катедрата, която създава. Едва през 60-те години учениците му успяват да издействат той да бъде избран за чуждестранен член на БАН, и през 1967 г. Странски за първи път след войната се завръща в родината си.

Умира в България през 1979 г. Погребан е в Берлин.

Иван Странски е член е на научните академии в Гьотинген (1939), Бавария (1959), Ню Йорк, Шведската академия на науките. Хоноруван сенатор на БТУ на Западен Берлин (1962). Неговото име носят два научни института – Институтът по физика и химия към БТУ и Институтът по металургия в Оберхаузен. Носител на два ордена „Кирил и Методий“ и редица международни отличия.

ТрудовеРедактиране

Иван Странски е един от основателите (заедно с Косел) на молекулно-кинетичната теория за формирането и растежа на кристалите. Въвежда за първи път понятието „положение на полукристал“. Заедно с Ростислав Каишев установяват връзката между формата, структурата и силите на междумолекулно взаимодействие в кристалите на базата на молекулна трактовка. Разработват метода на средните отделителни работи – молекулно-кинетичен метод, изиграл роля в развитието на теорията на зараждането и растежа на кристалите. Създават модела на Каишев и Странски за послойния растеж на кристалите, имат заслуги за изясняване на връзката между двумерното зародишообразуване и спиралния растеж на кристалите. С Любомир Кръстанов предлагат механизъм на растеж на един кристал върху подложка от друг. В Берлин работи в различни области от физикохимията, предимно теоретични разработки с непосредствено практическо приложение: триболуминисценция, топене, разлагане на уротропин, електронна емисия на кристални повърхности (тези му изследвания водят до създаването на автоемисионния микроскоп (FEM). Сериозно приложение имат теоретичните му работи в областта на металургията, с помощта на които рудодобивът в Западна Германия става значително по-ефективен и рационален.[1][2][3][4][5][6][7][8][9][10][11][12][13] Той е един от малкото български учени, номинирани и номиниращи за Нобелова награда.[14]

БиблиографияРедактиране

  • I. N. Stranski, Zur Theorie des Kristallwachstums, Z. physik, Chem., 136, 259 (1928)
  • I. N. Stranski, D. Totomanow, Die Ostwald'sche Stufenregel, Naturwissenschaften, 20, 905 (1932)
  • I. N. Stranski, L. Krastanov, Zur Theorie der orientierten Ausscheidung von Ionenkristallen aufeinander, Sitzungsber. d. Akad. d. Wissensch. Wien, Math.-naturw. Kl. Abt. IIb, 146, 797 (1938)

ИзточнициРедактиране

  1. ↑ Surface structures of ionic crystals
  2. ↑ Surface structures of ionic crystals
  3. ↑ Beiträge zur Röntgenspektralanalyse
  4. ↑ Die Vorgänge an Kristalloberflächen: Vortrag, gehalten an der Chalmers Tekniska Högskola, Göteborg, am 16.6.1950
  5. ↑ Gedenkkolloquium anläßlich des ersten Todestages von Prof. Dr. phil., Dr. h. c. mult. Iwan N. Stranski: Berlin, 18. Juni 1980.
  6. ↑ On structure irregularity in the surface of ionic crystals
  7. ↑ The electron emission of crystalline metal surfaces and its relation to the laws of crystal structure. II: Single-crystal surfaces with absorbed foreign atoms
  8. ↑ Rastitelni otnošenija v Srědnitě Rodopi
  9. ↑ The electron emission of crystalline metal surfaces and its relation to the laws of crystal structure. I: pure single-crystal surfaces
  10. ↑ Die Vorgänge an Kristalloberflächen
  11. ↑ Technische Universität Berlin-Charlottenburg
  12. ↑ "Katalyse": Festrede, anlässlich der, Rektoratsübergabe an der Technischen Universität Berlin-Charlottenburg 1951
  13. ↑ Single-crystal surfaces with adsorbed foreign atoms
  14. ↑ Нобелов комитет. База данни за номинациите за Нобелова награда. // old.nobelprize.org.
  • Първомайсторът на кристалния растеж, режисьор Стефан Стефанов
  • Архив на Софийския университет

Външни препраткиРедактиране

 
Уикицитат съдържа колекция от цитати от/за
Иван Странски.
Взето от „https://bg.wikipedia.org/w/index.php?title=Иван_Странски_(физикохимик)&oldid=10366986“.