Силициев карбид
Силициевият карбид (SiC) е съединение на силиция с въглерода. В чист вид е безцветен кристал с диамантен отблясък, техническият продукт има зелен или червен цвят. Силициевият карбид е труднотопим (топи се с разлагане при температура 2830 °C) по твърдост отстъпва само на диаманта и борния карбид B4C. Той е устойчив в различни химични среди, включително при високи температури. Употребява се като абразив (при шлифоване), за рязане на твърди метали, в електротехниката, за изработване на химическа и металурическа апаратура.
Силициев карбид | |
Свойства | |
---|---|
Формула | SiC |
Моларна маса | 40,0962 g·mol−1 |
Плътност | 3,16 g·cm−3 |
Точка на топене | 2830 °C |
Сублимация | 2700 °C |
Парно налягане | 0 Pa (20 °C) |
Подвижност на токоносителите | ~900 cm2/V·s |
Магнитна възприемчивост | −12,8·10−6 cm3/mo |
Показател на пречупване | 2,55[1] |
Опасности | |
NFPA 704 |
|
Идентификатори | |
CAS номер | 409-21-2 |
PubChem | 9863 |
ChemSpider | 9479 |
Номер на ЕК | 206-991-8 |
MeSH | Silicon+carbide |
ChEBI | 29390 |
RTECS | VW0450000 |
SMILES | [C-]#[Si+] |
InChI | 1S/CSi/c1-2 |
InChI ключ | HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYAF |
UNII | WXQ6E537EW |
Gmelin | 13642 |
Данните са при стандартно състояние на материалите (25 °C, 100 kPa), освен ако не е указано друго. | |
Силициев карбид в Общомедия |
Срещане в природата
редактиранеЕстествено възникващият моасанит се среща само в миниатюрни количества в някои видове метеорити и в корундови находища и кимбърлит. На практика всичкият силициев карбид, който се продава в света, включително и бижутата от моасанит, е изкуствен. И докато съединението е рядко на Земята, то е доста често срещано в космоса. То е често срещана форма на космически прах около въглеродните звезди.
Производство
редактиранеТъй като моасанитът е изключително рядък, повечето силициев карбид се набавя по изкуствен път. Най-простият процес за това е да се комбинира силициев пясък и въглерод в пещ с електрическо съпротивление при висока температура, между 1600 и 2500 °C. Фини частици SiO2 в растителен материал (например оризови люспи) също могат да бъдат преобразувани в SiC чрез нагряване на излишния въглерод от органичния материал.[2] Силициевият дим, който е вторичен продукт от произвеждането на силиций и феросилициеви сплави, също може да бъде превърнат в SiC чрез нагряване с графит при 1500 °C. [3]
(β)3C-SiC | 4H-SiC | (α)6H-SiC |
Източници
редактиране- ↑ www.ioffe.ru
- ↑ Vlasov, A.S. et alia. Obtaining silicon carbide from rice husks // Refractories and Industrial Ceramics 32 (9 – 10). 1991. DOI:10.1007/bf01287542. с. 521 – 523.
- ↑ Synthesis of Silicon Carbide Nanopowder Using Silica Fume // Journal of American Ceramic Society 93 (10). 2010. DOI:10.1111/j.1551-2916.2010.03867.x. с. 3159 – 3167.